Резонансный туннельный эффект
Таблица 1.
|
Материал |
InGaAs |
InAs |
Si/SiGe |
GaAs |
Si (диод Эсаки) |
|
J, кА/см-2 |
460 |
370 |
282 |
250 |
151 |
|
PVCR |
4 |
3,2 |
2,4 |
1,8 |
2,0 |
|
ΔIΔV |
5,4 |
9,4 |
43,0 |
4,0 |
1,1 |
|
Rd (Ω) |
1,5 |
14,0 |
12,5 |
31,8 |
79,5 |
|
Площадь, мкм2 |
16 |
1 |
25 |
5 |
2,2 |
В таблице приведены значения плотности пикового тока Jp, коэффициента PVCR (отношение максимального тока к току в долине); предельная мощность устройства, т, е. максимум произведения ΔIΔV в области отрицательного дифференциального сопротивления NRD (в предположении 100%-й эффективности) и значение отрицательного сопротивления диода RD в области NRD.